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金屬碳化物鍍層 |
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TaC, NbC, ZrC鍍層可在極高溫環境下阻絕腐蝕性液體及氣體的侵襲,在化合物半導體的磊晶製程應用中(如MBE, LPE),也有愈來愈多成功的案例用於石墨工件的密封及保護塗層,防止熱氨、氫氣、鹽酸及熔融金屬等的腐蝕侵襲。
此金屬碳化物鍍層有包括鍍層均勻、不透水、導電及極度抗磨耗等特性,因此可提供工件更長壽命及低的粒子產生。
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PBN鍍層 |
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PBN已經成為多數化合物半導體晶體生長和晶片加工的最佳選擇。 PBN鍍層可密封和保護石墨免於各種腐蝕性氣氛的影響,包括大多數熔融金屬、所有的酸和熱氨氣氛。
PBN是一個電絕緣體且具有高度的異向性,如良好的平行熱導體(“ab平行面”)和厚度的熱絕緣體(“c垂直面”) 。 |
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PG鍍層 |
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PG是一種受歡迎的鍍層,常用於密封加工後不需要氧化保護的石墨工件。這是高異向性的商業化材料,因此在注重熱管理系統中是非常有用的。PG鍍層可用於PBN坩堝和板材,如Momentive Performance Materials公司的專利“熱唇(Hot-Lip)”MBE坩堝和PBN/PG加熱器。 |
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常見金屬碳化物及PBN ,PB 特性比較 |
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一般特性 |
TaC |
NbC |
ZrC |
PBN |
PG |
密度, gm/cc |
15.0 |
7.9 |
6.7 |
1.95 - 2.22 |
2.18 - 2.22 |
施鍍溫度, °C |
2100 |
2100 |
2100 |
1600 - 2000 |
1800 - 2200 |
熔點, °C |
3880 |
3760 |
3540 |
分解 @ 2500°C |
昇華 @3650°C |
氧化極限, °C |
700 |
800 |
800 |
800 |
400 |
熱傳導率, W/m °K |
22 |
13 |
21 |
"ab" 20 - 120
"c" 1.5 - 3.0 |
"ab" 400
"c" 3.5 |
輻射 (正常譜) |
0.5 |
0.6 |
0.4 |
0.5 |
0.8 |
CTE, 10-6/°C |
6.3 |
7.0 |
6.7 |
"ab" 2.0 |
"ab" 0.5 |
壓縮強度, MPa |
- |
2350 |
820 |
220 |
100 |
楊氏模數, GPa |
300 - 500 |
350 - 500 |
350 - 400 |
22 |
20 |
電阻率, micro Ω cm |
30 |
30 |
50 |
1015 |
250 |
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