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            金屬碳化物鍍層 | 
           
          
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             TaC, NbC, ZrC鍍層可在極高溫環境下阻絕腐蝕性液體及氣體的侵襲,在化合物半導體的磊晶製程應用中(如MBE, LPE),也有愈來愈多成功的案例用於石墨工件的密封及保護塗層,防止熱氨、氫氣、鹽酸及熔融金屬等的腐蝕侵襲。 
              此金屬碳化物鍍層有包括鍍層均勻、不透水、導電及極度抗磨耗等特性,因此可提供工件更長壽命及低的粒子產生。 
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            PBN鍍層 | 
           
          
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            PBN已經成為多數化合物半導體晶體生長和晶片加工的最佳選擇。 PBN鍍層可密封和保護石墨免於各種腐蝕性氣氛的影響,包括大多數熔融金屬、所有的酸和熱氨氣氛。  
              PBN是一個電絕緣體且具有高度的異向性,如良好的平行熱導體(“ab平行面”)和厚度的熱絕緣體(“c垂直面”) 。  | 
           
         
         
         
        
          
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            PG鍍層 | 
           
          
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            PG是一種受歡迎的鍍層,常用於密封加工後不需要氧化保護的石墨工件。這是高異向性的商業化材料,因此在注重熱管理系統中是非常有用的。PG鍍層可用於PBN坩堝和板材,如Momentive Performance Materials公司的專利“熱唇(Hot-Lip)”MBE坩堝和PBN/PG加熱器。 | 
           
         
         
         
        
          
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            常見金屬碳化物及PBN ,PB 特性比較 | 
           
          
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                  | 一般特性 | 
                  TaC | 
                  NbC | 
                  ZrC | 
                  PBN | 
                  PG | 
                 
                
                  | 密度, gm/cc | 
                  15.0 | 
                  7.9 | 
                  6.7 | 
                  1.95 - 2.22 | 
                  2.18 - 2.22 | 
                 
                
                  | 施鍍溫度, °C | 
                  2100 | 
                  2100 | 
                  2100 | 
                  1600 - 2000 | 
                  1800 - 2200 | 
                 
                
                  | 熔點, °C | 
                  3880 | 
                  3760 | 
                  3540 | 
                  分解 @ 2500°C | 
                  昇華 @3650°C | 
                 
                
                  | 氧化極限, °C | 
                  700 | 
                  800 | 
                  800 | 
                  800 | 
                  400 | 
                 
                
                  | 熱傳導率, W/m °K | 
                  22 | 
                  13 | 
                  21 | 
                  "ab"    20 - 120 
                  "c" 1.5 - 3.0 | 
                  "ab" 400 
                  "c" 3.5 | 
                 
                
                  | 輻射 (正常譜) | 
                  0.5 | 
                  0.6 | 
                  0.4 | 
                  0.5 | 
                  0.8 | 
                 
                
                  | CTE, 10-6/°C | 
                  6.3 | 
                  7.0 | 
                  6.7 | 
                  "ab" 2.0 | 
                  "ab" 0.5 | 
                 
                
                  | 壓縮強度, MPa | 
                  - | 
                  2350 | 
                  820 | 
                  220 | 
                  100 | 
                 
                
                  | 楊氏模數, GPa | 
                  300 - 500 | 
                  350 - 500 | 
                  350 - 400 | 
                  22 | 
                  20 | 
                 
                
                  | 電阻率, micro Ω cm | 
                  30 | 
                  30 | 
                  50 | 
                  1015 | 
                  250 | 
                 
                | 
           
          |